Výrobca Číslo produktu:
IPD13N03LA G
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD13N03LA G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventár:
12800295
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD13N03LA G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 20µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.3 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1043 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
46W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD13N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD13N03LAINCT
IPD13N03LAGINCT-NDR
IPD13N03LAG
IPD13N03LAGINCT
IPD13N03LAGBUMA1
IPD13N03LAGXT
SP000017537
IPD13N03LAGXTINCT
IPD13N03LAINCT-DG
IPD13N03LAINTR
IPD13N03LAGINTR-NDR
IPD13N03LA
IPD13N03LAGXTINTR-DG
IPD13N03LAINTR-DG
IPD13N03LAGXTINTR
IPD13N03LAGINTR
IPD13N03LAGXTINCT-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPD135N03LGATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
31780
ČÍSLO DIELU
IPD135N03LGATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.26
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
IPF13N03LA G
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
468
ČÍSLO DIELU
IPF13N03LA G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.34
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB025N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPD60R1K4C6
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
IPC60R180P7X7SA1
MOSFET N-CH DIE
